اینتل با سافت بانک برای توسعه یک نوع جدید حافظه همکاری می‌کند؛ حافظه ZAM در راه است!

چهار سال پس از کنار گذاشتن محصولات حافظه Optane، اینتل قصد دارد تا با همکاری یکی از شرکت‌های زیرمجموعه سافت بانک به صنعت حافظه بازگردد. در همین راستا این غول دنیای تکنولوژی تصمیم دارد تا یک فناوری جدید به نام «ZAM» را معرفی کند. اما حافظه ZAM چیست و چه زمانی به بازار عرضه می‌شود؟ در ادامه با فالنیک (ایران اچ پی) همراه باشید.

حافظه ZAM چیست؟

حافظه ZAM یا Z-Angle Memory یک فناوری نوین از نوع DRAM است که با استفاده از چیدمان عمودی لایه‌های حافظه در محور Z توسعه داده می‌شود. این معماری پیشرفته با هدف افزایش چشمگیر پهنای باند حافظه و کاهش محدودیت‌های انتقال داده در پردازش‌های سنگین، به‌ویژه در سرور هوش مصنوعی و سیستم‌های مبتنی بر AI، طراحی شده است و از نظر ساختاری شباهت زیادی به حافظه‌های HBM دارد.

با این حال، ZAM نسبت به HBM ظرفیت بالاتر (حدود 2 تا 3 برابر)، پهنای باند بیشتر و مصرف انرژی و هزینه تولید پایین‌تری را وعده می‌دهد. به گزارش HPC Wire، این فناوری که بر پایه پروژه Next Generation DRAM Bonding اینتل توسعه یافته، می‌تواند در آینده به‌عنوان جایگزین یا مکمل HBM، گلوگاه حافظه در GPUها و مراکز داده هوش مصنوعی را به‌طور مؤثری کاهش دهد.

حافظه ZAM چه زمانی به بازار می‌آید؟

حافظه ZAM به‌صورت مشترک توسط اینتل و شرکت Saimemory (از زیرمجموعه‌های سافت بانک) در حال توسعه است. براساس گزارش‌های منتشرشده، طرح توسعه این فناوری در قالب برنامه «تکنولوژی حافظه پیشرفته (AMT)» که توسط وزارت انرژی آمریکا آغاز شده بود، شکل گرفته است. هدف این برنامه، پروژه‌ای بود که اینتل از آن با عنوان Next Generation DRAM Bonding (اتصال DRAM نسل بعدی) یاد کرده است.

شرکت Saimemory در دسامبر 2024 با هدف توسعه فناوری‌های حافظه نیمه‌هادی نسل آینده و متمرکز بر هوش مصنوعی، به‌عنوان جایگزینی برای High Bandwidth Memory (HBM) تأسیس شد. مدیرعامل این شرکت هیده‌یا یاماگوچی (Hideya Yamaguchi) است که بیش از 40 سال سابقه فعالیت در حوزه نیمه‌هادی‌های توشیبا دارد. مدیر ارشد فناوری (CTO) این شرکت نیز استیون مورین (Stephen Morein) است که پیش‌تر در اینتل به‌عنوان مهندس ارشد اصلی و معمار سیستم و سیلیکون فعالیت می‌کرده است.

با وجود تمام گزارش‌های منتشرشده، نباید انتظار عرضه سریع این فناوری را داشت. سنام مسرور (Sanam Masroor)، مدیر مشارکت‌های استراتژیک جهانی اینتل، برنامه‌ها را در یک پست وبلاگ اینتل تشریح کرده است. طبق این برنامه، آغاز عملیات برای سه‌ماهه اول سال 2026 پیش‌بینی شده است، نمونه‌های اولیه در سال 2027 ارائه خواهند شد و محصولات تجاری نیز تا سال 2030 به بازار می‌آیند.

اگرچه اینتل به‌طور رسمی این موضوع را اعلام نکرده است، اما طراحی این حافظه تقریباً مشابه حافظه HBM است که در شتاب‌دهنده‌های GPU و مراکز داده مبتنی بر هوش مصنوعی استفاده می‌شود. در معماری HBM، حافظه مستقیماً روی قالب (Die) پردازنده گرافیکی قرار می‌گیرد تا دسترسی آنی برای GPU فراهم شود؛ برخلاف DRAM استاندارد که به‌صورت ماژول‌های حافظه روی مادربرد نصب می‌شود.

حافظه HBM به‌مراتب سریع‌تر از حافظه DDR است، اما هزینه تولید بسیار بالاتری نیز دارد. همچنین سودآوری آن نسبت به DRAM استاندارد بیشتر است؛ به همین دلیل سه تولیدکننده بزرگ حافظه یعنی Micron، Samsung و SK Hynix تمرکز خود را بر تولید HBM گذاشته‌اند.

آقای جیم هندی (Jim Handy)، رئیس شرکت Objective Analysis که بازار حافظه را تحلیل می‌کند، انتقادات زیادی به این اعلامیه دارد؛ از جمله فاصله زمانی طولانی اینتل تا عرضه واقعی محصول. او می‌گوید: «نمی‌توانم آن را صرفاً یک وعده توخالی بنامم، اما این اعلامیه برای محصولی که قرار نیست تا سال 2030 به تولید انبوه برسد، بسیار زودهنگام است. ابهام در چنین مرحله‌ای قابل درک است، اما در این اعلامیه هیچ نکته‌ای وجود ندارد که بتواند اطمینان دهد این پروژه به موفقیت بزرگی خواهد رسید».

به‌هرحال باید منتظر بمانیم و ببینیم که آیا حافظه ZAM طبق برنامه زمان‌بندی اینتل به بازار خواهد آمد، و آیا این حافظه می‌تواند جایگزین حافظه‌های DDR در سرور هوش مصنوعی شود؟

خلاصه این مقاله

اینتل با همکاری شرکت Saimemory، زیرمجموعه سافت‌بانک، در حال توسعه فناوری حافظه جدیدی به نام ZAM (Z-Angle Memory) است. اینتل پس از کنار گذاشتن محصولات حافظه Optane، قصد دارد با این فناوری دوباره به صنعت حافظه بازگردد. ZAM نوعی DRAM با معماری عمودی لایه‌های حافظه در محور Z است که پهنای باند را به شدت افزایش داده و محدودیت‌های انتقال داده را در پردازش‌های سنگین، به‌ویژه در سرورهای هوش مصنوعی، کاهش می‌دهد. ZAM از نظر ساختاری شبیه به HBM است، اما ظرفیت بالاتر (۲ تا ۳ برابر)، پهنای باند بیشتر، مصرف انرژی و هزینه تولید پایین‌تری را وعده می‌دهد. این فناوری بر پایه پروژه Next Generation DRAM Bonding اینتل توسعه یافته و می‌تواند در آینده جایگزین یا مکمل HBM شود. توسعه ZAM در قالب برنامه "تکنولوژی حافظه پیشرفته (AMT)" وزارت انرژی آمریکا انجام شده است. اینتل آغاز عملیات را برای سه‌ماهه اول ۲۰۲۶، ارائه نمونه‌های اولیه در ۲۰۲۷ و عرضه محصولات تجاری را تا سال ۲۰۳۰ پیش‌بینی کرده است. این بازه زمانی طولانی انتقاداتی را در پی داشته، اما هدف نهایی کاهش گلوگاه حافظه در GPUها و مراکز داده هوش مصنوعی است.